Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB против SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    39 left arrow 49
    Около 20% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.5 left arrow 8.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.5 left arrow 5.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01% выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    39 left arrow 49
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.5 left arrow 8.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    11.5 left arrow 5.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2264 left arrow 1223
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения