RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
69
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
15.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
69
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
1980
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link