RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
38
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3279
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link