RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
38
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
22
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3330
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link