RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
18.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3444
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston KHX16 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link