RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
38
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2755
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link