RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
38
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
35
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2933
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link