RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
38
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3367
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link