RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около -31% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
14.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2984
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link