RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
55
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.6
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
55
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2665
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link