RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
38
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
18.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3125
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link