RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
38
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3142
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link