RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
38
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
19.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3701
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link