RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
19.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3773
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B2GC9.CY10C 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link