RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
38
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3033
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link