RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2728
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link