RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.0
10.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2731
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link