RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
38
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
18.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3498
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link