Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Kingston HX424C15FB/8 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Средняя оценка

Kingston HX424C15FB/8 8GB

Kingston HX424C15FB/8 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

12.0 9.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 19200

Около 1.33% выше полоса пропускания

Kingston HX424C15FB/8 8GB

Причины выбрать
Kingston HX424C15FB/8 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 38

Около -73% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.9 15.5

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Kingston HX424C15FB/8 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 22
Скорость чтения, Гб/сек

15.5 15.9
Скорость записи, Гб/сек

12.0 9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 19200

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2283 2684

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB

A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB

Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB

Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Kingston HX424C15FB/8 8GB

Kingston HX424C15FB/8 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB

Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB

Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB

Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Kingston 9905624-033.A00G 8GB

Kingston 9905624-033.A00G 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB

DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB

модули RAM

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB

Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB

Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB

модули RAM