RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    15.5 left arrow 15
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.0 left arrow 11.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 21300
    Около 1.2% выше полоса пропускания
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB Причины выбрать
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    35 left arrow 38
    Около -9% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    38 left arrow 35
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.5 left arrow 15.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.0 left arrow 11.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2283 left arrow 2609

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston KCRXJ6-MIE 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения