Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Kingston XVTW4H-MIE 32GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Средняя оценка

Kingston XVTW4H-MIE 32GB

Kingston XVTW4H-MIE 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

25600 21300

Около 1.2% выше полоса пропускания

Kingston XVTW4H-MIE 32GB

Причины выбрать
Kingston XVTW4H-MIE 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 38

Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.8 15.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.5 12.0

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Kingston XVTW4H-MIE 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 35
Скорость чтения, Гб/сек

15.5 17.8
Скорость записи, Гб/сек

12.0 14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 21300

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2283 3489

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB

Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Kingston XVTW4H-MIE 32GB

Kingston XVTW4H-MIE 32GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB

Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB

Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB

A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB

модули RAM