RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
39
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
39
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
13.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2443
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1600C11 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link