RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
39
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
39
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
13.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2443
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link