RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
38
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2973
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link