RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
23400
Около 1.09% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.1
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
23400
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3758
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link