RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
38
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3046
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link