Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Сообщить об ошибке

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 38

Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.4 15.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.6 12.0

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 31
Скорость чтения, Гб/сек

15.5 16.4
Скорость записи, Гб/сек

12.0 12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 25600

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2283 3046

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB

Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB

Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB

Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB

V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB

G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB

модули RAM