RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
43
Около 12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
15
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
23400
Около 1.09% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.0
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
43
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
15.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
23400
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2794
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link