RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
38
Около -6% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
36
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2749
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link