Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 100

Около 62% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.5 15.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.0 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 19200

Около 1.33% выше полоса пропускания

SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 100
Скорость чтения, Гб/сек

15.5 15.2
Скорость записи, Гб/сек

12.0 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 19200

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2283 1479

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB

Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB

Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB

Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Kingston 9905622-057.A00G 4GB

Kingston 9905622-057.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 9905712-035.A00G 16GB

Kingston 9905712-035.A00G 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

модули RAM