RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
56
Около 32% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.7
15.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
56
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
18.7
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2235
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kllisre 0000 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link