RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
74
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
74
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
13.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
1616
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link