RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB против Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
43
Около -87% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
17.3
Скорость записи, Гб/сек
7.6
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2034
3033
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link