RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
76
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
11.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
76
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
13.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
1624
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link