RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
76
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
76
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
1624
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link