RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
104
Wokół strony -225% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3202
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link