RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
65
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,574.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,858.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,574.4
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
607
2605
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link