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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
65
Por volta de -110% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
1,574.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,858.9
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,574.4
12.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
607
2605
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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