RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
65
左右 -110% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,574.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
31
读取速度,GB/s
3,858.9
16.6
写入速度,GB/s
1,574.4
12.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
607
2605
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB RAM的比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link