RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
45
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
16.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
3100
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link