RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
75
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
75
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
14.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
1735
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link