RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
45
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.2
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
34
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
19.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
3527
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link