RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3527
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link