RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
45
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
35
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
15.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
2672
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link