RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
11.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
2191
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link