RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
46
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
7.9
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2072
3181
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link