Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Средняя оценка

Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB

Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

47 73

Около 36% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.0 7.7

Среднее значение в тестах

Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB

Причины выбрать
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.5 11.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 73
Скорость чтения, Гб/сек

11.8 14.5
Скорость записи, Гб/сек

8.0 7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2061 1700

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

модули RAM

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB

модули RAM

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston KF2666C15S4/8G 8GB

Kingston KF2666C15S4/8G 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB

Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Kingston 9965662-009.A00G 16GB

Kingston 9965662-009.A00G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB

Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB

модули RAM