RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
71
Около -173% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
14.6
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3124
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link