RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
71
Wokół strony -173% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3124
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link