RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
47
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
2843
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link