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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
47
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
24
读取速度,GB/s
11.8
16.0
写入速度,GB/s
8.0
11.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2843
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
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Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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