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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
比较
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
总分
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
总分
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
46
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
39
读取速度,GB/s
12.2
13.2
写入速度,GB/s
7.9
9.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2072
2489
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB RAM的比较
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
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